Электромагнитный дрессинг графена
- Статья поступила: 11.11.2017 г.
- DOI 10.26902/JSC20180416
- Просмотров: 731
1 Новосибирский государственный технический университет, Россия
2 Science Institute, University of Iceland, Reykjavik, Iceland
3 Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Разработана теория взаимодействия электронов в
графене (щелевом и бесщелевом) с сильным нерезонансным электромагнитным полем
(одевающее поле). Показано, что такое взаимодействие (электромагнитный
дрессинг) существенно ренормализует скорости электронов и величину запрещенной
зоны в щелевом графене. В частности, ренормализованные электронные параметры
сильно зависят от поляризации поля: линейно поляризованное поле всегда
уменьшает запрещенную зону, тогда как циркулярно поляризованное поле нарушает
эквивалентность долин в различных точках зоны Бриллюэна и может как
увеличивать, так и уменьшать соответствующие зонные щели. Помимо этого, линейно
поляризованное одевающее поле приводит к появлению анизотропии электронной
дисперсии в плоскости графена. Как следствие, одевающее поле может служить
эффективным инструментом контроля электронных свойств графена, что может быть
использовано в различных оптоэлектронных устройствах.
Ключевые слова: графен, электронные свойства
|
Импакт-фактор 0.8 |
||||
|
Срок опубликования 4 мес |
||||
Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2020 года ("Номера").
Спецвыпуски
Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители
Рубрики