Методом импульсного химического осаждения из газовой фазы с использованием летучих металлорганических прекурсоров получены оксидные пленки ZrO₂–HfO₂. Показано, что способ организации реакционного пространства оказывает влияние на морфологию, толщину и равномерность получаемого покрытия. Установлено, что при дозировании паров прекурсора и газа-реактанта в реактор через разработанную ранее систему раздельной подачи реакционных компонентов удается получить оксидное покрытие с толщиной 360 нм. По данным атомно-силовой микроскопии в этом случае формируется практически гладкая поверхность с параметрами среднеарифметической шероховатости в пределах нескольких нанометров. Для полученных в работе оксидных покрытий состава ZrO₂–HfO₂ изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Отмечено, что величина пробивного электрического поля практически не зависит от толщины оксидного покрытия (0.1–0.48 МВ/см) в интервале 225–325 нм. При увеличении толщины оксидной пленки с 325 до 360 нм наблюдается рост значения пробивного электрического поля. На основании результатов измерения вольт-фарадных характеристик полученных образцов пленочных покрытий состава ZrO₂–HfO₂ определена зависимость величины диэлектрической проницаемости от толщины оксидной пленки. Показано, что она линейно зависит от толщины оксидного покрытия.