- Статья поступила: 14.07.2022 г.
- С доработки: 15.08.2022 г.
- Принята к публикации: 20.08.2022 г.
- DOI 10.26902/JSC_id101782
- EDN: ALRLLD
- Просмотров: 335
©
Одинцов Д.С.
1, Шундрина И.К.
1, Гисматулин А.А.
2, Азаров И.А.
2,3, Андреев Р.В.
1, Гриценко В.А.
2,4, Шундрин Л.А.
1
1 Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН, Россия
2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
3 Новосибирский государственный университет, Россия
4 Новосибирский государственный технический университет, Россия
Показано, что новые амбиполярные полиимиды, содержащие в своей структуре пендантные электроноакцепторные группы тиоксантенонового ряда, обладают высокой термостойкостью (до 400 °C), хорошей способностью к пленкообразованию и шириной запрещенной зоны 3.15 < Eg < 3.42 эВ (T = 295 K). Методом центрифугирования растворов полиимидов на кремниевые подложки p++-Si(100)
изготовлены и протестированы модельные резистивные запоминающие устройства,
представляющие собой структуру «металл—диэлектрик—металл» с алюминиевыми
противоэлектродами и средней толщиной полимерного слоя ~40 нм. Устройства
продемонстрировали энергонезависимый WORM тип памяти.
Ключевые слова: амбиполярные полиимиды, пендантные группы, тиоксантеноны, диэлектрические пленки, резистивная память, сканирующая эллипсометрия, органическая электроника