Термостойкие полиимиды с электроноакцепторными
пендантными группами тиоксантенонового ряда
для запоминающих устройств резистивного типа
с малым напряжением переключений

  • DOI 10.26902/JSC_id101782
  • EDN: ALRLLD
  • Просмотров: 255
© Одинцов Д.С.1, Шундрина И.К.1, Гисматулин А.А.2, Азаров И.А.2,3, Андреев Р.В.1, Гриценко В.А.2,4, Шундрин Л.А.1
1 Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН, Россия
2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
3 Новосибирский государственный университет, Россия
4 Новосибирский государственный технический университет, Россия
Показано, что новые амбиполярные полиимиды, содержащие в своей структуре пендантные электроноакцепторные группы тиоксантенонового ряда, обладают высокой термостойкостью (до 400 °C), хорошей способностью к пленкообразованию и шириной запрещенной зоны 3.15 < Eg < 3.42 эВ (T = 295 K). Методом центрифугирования растворов полиимидов на кремниевые подложки p++-Si(100) изготовлены и протестированы модельные резистивные запоминающие устройства, представляющие собой структуру «металл—диэлектрик—металл» с алюминиевыми противоэлектродами и средней толщиной полимерного слоя ~40 нм. Устройства продемонстрировали энергонезависимый WORM тип памяти.
Ключевые слова: амбиполярные полиимиды, пендантные группы, тиоксантеноны, диэлектрические пленки, резистивная память, сканирующая эллипсометрия, органическая электроника

Импакт-фактор                     0.8

Срок опубликования         4 мес  

Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2020 года ("Номера").


Разместить рекламу в ЖСХ

Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители

Рубрики