- Статья поступила: 23.09.2024 г.
- С доработки: 24.10.2024 г.
- Принята к публикации: 27.10.2024 г.
- DOI 10.26902/JSC_id140016
- EDN: KONLDF
- Просмотров: 109
©
Грекова А.А.
1,2 , Гришаков К.С.
1,2, Катин К.П.
1,2, Маслов М.М.
1,2
1 Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2 Научно-исследовательский институт проблем развития научно-образовательного потенциала молодежи, Москва, Россия
Исследовано влияние
введения примесных атомов азота и бора на электронные и оптические свойства
углеродных диаманов с типом упаковки АА. Расчеты в теории функционала плотности
показали, что внедрение примесных атомов высокой концентрации (6.3 и
12.5 % от числа атомов углерода) в структуру диамана практически не оказывает
эффекта на постоянную решетки, но вызывает при этом значительное изменение ширины
запрещенной зоны: внедрение атома азота увеличивает ее ширину на 0.97 эВ,
атома бора, напротив, уменьшает на 0.94 эВ, а одновременное включение
указанных атомов уменьшает запрещенную зону на 0.82 эВ. Отмеченные
особенности структурных и электронных свойств позволяют рассчитывать на
успешное использование диаманов, допированных бором и азотом, для синтеза
латеральных гетероструктур, которые могут быть применены в создании приборов
наноэлектроники. Полученные в работе спектры комбинационного рассеяния и ИК
спектры окажутся полезными при идентификации легированных диаманов, поскольку
атомы бора и азота внутри кристаллической решетки диамана обладают характерными
колебательными модами.
Ключевые слова: допированный диаман, электронная зонная структура, полупроводниковая щель, постоянная решетки, ИК-спектры, спектры комбинационного рассеяния