Влияние заместительного допирования атомами бора и азота
на электронные и оптические характеристики диаманов

  • DOI 10.26902/JSC_id140016
  • EDN: KONLDF
  • Просмотров: 109
© Грекова А.А.1,2 , Гришаков К.С.1,2, Катин К.П.1,2, Маслов М.М.1,2
1 Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2 Научно-исследовательский институт проблем развития научно-образовательного потенциала молодежи, Москва, Россия
Исследовано влияние введения примесных атомов азота и бора на электронные и оптические свойства углеродных диаманов с типом упаковки АА. Расчеты в теории функционала плотности показали, что внедрение примесных атомов высокой концентрации (6.3 и 12.5 % от числа атомов углерода) в структуру диамана практически не оказывает эффекта на постоянную решетки, но вызывает при этом значительное изменение ширины запрещенной зоны: внедрение атома азота увеличивает ее ширину на 0.97 эВ, атома бора, напротив, уменьшает на 0.94 эВ, а одновременное включение указанных атомов уменьшает запрещенную зону на 0.82 эВ. Отмеченные особенности структурных и электронных свойств позволяют рассчитывать на успешное использование диаманов, допированных бором и азотом, для синтеза латеральных гетероструктур, которые могут быть применены в создании приборов наноэлектроники. Полученные в работе спектры комбинационного рассеяния и ИК спектры окажутся полезными при идентификации легированных диаманов, поскольку атомы бора и азота внутри кристаллической решетки диамана обладают характерными колебательными модами.
Ключевые слова: допированный диаман, электронная зонная структура, полупроводниковая щель, постоянная решетки, ИК-спектры, спектры комбинационного рассеяния

Импакт-фактор  2023    1.4

Срок опубликования         4 мес  

Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2021 года ("Номера").


Разместить рекламу в ЖСХ

Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители

Рубрики