Синтез и анализ структуры полупроводникового оксида индия–галлия–цинка
- Статья поступила: 30.09.2024 г.
- С доработки: 27.10.2024 г.
- Принята к публикации: 30.10.2024 г.
- DOI 10.26902/JSC_id140143
- EDN: CUAVLE
- Просмотров: 233
1 Южно-Уральский государственный университет, Челябинск, Россия
2 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Россия
3 Санкт-Петербургский государственный университет, Россия
4 Челябинский государственный университет, Россия
Представлен результат твердофазного синтеза полупроводникового оксида InGaZn2O5, проведены фазовый, структурный и морфологический анализы. Для исследования использованы методы рентгеновской дифракции, полнопрофильного анализа дифрактограмм, сканирующей электронной микроскопии, а также энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, инфракрасной спектроскопии и рамановской спектроскопии. Показано, что изученный состав соответствует структуре InGaZn2O5 с пространственной группой P63/mmc, приведены структурные параметры. Морфология образца, полученного в описанных условиях, характеризуется полидисперсностью, агломератами, отсутствием выраженной огранки кристаллитов. Впервые приведены инфракрасные и рамановские спектры состава InGaZn2O5.
Ключевые слова: IGZO, оксид индия–галия–цинка, твердофазный синтез, SEM, EDX, XRD, ИК спектроскопия, рамановская спектроскопия
|
Импакт-фактор 2024 1.4 |
||||
|
Срок опубликования 4 мес |
||||
|
XII Национальная кристаллохимическая конференция Апатиты, 4–12 июля 2026 г. |
|
100-лет со дня рождения
Началась публикация |
Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2022 года ("Номера").
Спецвыпуски
Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители
Рубрики