- Статья поступила: 23.11.2024 г.
- С доработки: 29.11.2024 г.
- Принята к публикации: 29.11.2024 г.
- DOI 10.26902/JSC_id142135
- EDN: FXASTE
- Просмотров: 239
©
Чернуха А.С.
1 , Зирник Г.М.
1, Матвеев К.В.
2, Болейко Я.В.
1, Маркин Т.А.
1, Ананников Е.С.
1, Лошкарев А.А.
1, Гудкова С.А.
1, Винник Д.А.
1,2,3
1 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Россия
2 Южно-Уральский государственный университет, Челябинск, Россия
3 Институт химии, Санкт-Петербургский государственный университет, Россия
Активное развитие печатной электроники и солнечных элементов обусловило интерес к получению наноразмерных оксидных полупроводников системы In–Ga–Zn–O. В настоящее время разработано множество методов получения оксидных наноматериалов (химическое осаждение из раствора, сжигание геля и т.д.), относительно новым из которых является синтез в обратных мицеллах. Настоящее исследование посвящено синтезу чистых оксидов In2O3, Ga2O3, ZnO химическим осаждением из раствора, сжиганием
геля и в обратных мицеллах. Описан фазовый состав и морфология полученных
оксидов, а также определен средний размер их частиц по величине области
когерентного рассеяния, по данным сканирующей электронной микроскопии, удельной
поверхности и динамическому светорассеянию суспензий синтезированных порошков.
Показано, что метод синтеза в обратных мицеллах позволяет получить наиболее мелкие
порошки оксидов.
Ключевые слова: оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, синтез в обратных мицеллах, метод химического осаждения, метод сжигания, наночастицы