Кристаллическая структура и электродинамические параметры замещенного индием гексаферрита бария BaFe12–xInxO19
(x = 0–5)
- Статья поступила: 26.05.2025 г.
- С доработки: 04.06.2025 г.
- Принята к публикации: 06.06.2025 г.
- DOI 10.26902/JSC_id151044
- EDN: YQJVYI
- Просмотров: 112
1 Южно-Уральский государственный университет, Челябинск, Россия
2 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Россия
3 Санкт-Петербургский государственный университет, Россия
Твердофазным методом получены гексаферриты бария BaFe12–xInxO19, где (In) изменяется в диапазоне от 0–5 с шагом 0.25. Твердофазный синтез проводили при температуре 1400 °C в течение 5 ч. Рассчитаны параметры кристаллических решеток полученных образцов, выполнен анализ химического состава материалов. Проведены расчеты диэлектрической и магнитной проницаемости для каждого образца с x = 0–1.25.
Ключевые слова: гексаферрит бария, замещение индием, диэлектрическая проницаемость, магнитная проницаемость
|
Импакт-фактор 2024 1.4 |
||||
|
Срок опубликования 4 мес |
||||
|
XII Национальная кристаллохимическая конференция Апатиты, 4–12 июля 2026 г. |
|
100-лет со дня рождения
Началась публикация |
Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2022 года ("Номера").
Спецвыпуски
Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители
Рубрики