Синтез замещенного оловом оксида индия–галлия–цинка
при низких температурах
- Статья поступила: 06.06.2025 г.
- С доработки: 27.06.2025 г.
- Принята к публикации: 30.06.2025 г.
- DOI 10.26902/JSC_id152368
- EDN: TEUQXK
- Просмотров: 86
1 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Россия
2 Южно-Уральский государственный университет, Челябинск, Россия
3 Санкт-Петербургский государственный университет, Россия
Благодаря уникальным электронным и оптическим свойствам тройной оксид индия–галлия–цинка (IGZO) применяется в гибкой и прозрачной электронике, в частности, в тонкопленочных транзисторах. Физические свойства IGZO зависят от условий синтеза и соотношения входящих в него основных компонентов (индия, галлия, цинка и кислорода) и различных легирующих добавок. Описана методика синтеза образцов линейки состава In1–2хGaSnхZn1+хO4
(при x = 0.05, 0.10, 0.15) методом горения нитратно-органического геля. Данный подход позволяет проводить синтез за меньшее время и при более низких температурах по сравнению с альтернативными методами, описанными в литературе. Исследование полученных образцов проводилось методами рентгенофазового анализа, сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной спектроскопии. Доказана гомогенность полученных образцов при x = 0.05 и 0.10.
Ключевые слова: тройной оксид индия–галлия–цинка, олово, метод горения нитратно-органического геля, рентгенофазовый анализ, сканирующая электронная микроскопия, энергодисперсионная спектроскопия
|
Импакт-фактор 2024 1.4 |
||||
|
Срок опубликования 4 мес |
||||
|
XII Национальная кристаллохимическая конференция Апатиты, 4–12 июля 2026 г. |
|
100-лет со дня рождения
Началась публикация |
Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2022 года ("Номера").
Спецвыпуски
Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители
Рубрики