- Статья поступила: 27.12.2016 г.
- УДК 546.27:548.736.3:544.023.25
- DOI 10.15372/JSC20170523
- Просмотров: 319
©
Меренков И.С.
1 , Касаткин И.А.
2, Максимовский Е.А.
1, Алферова Н.И.
1, Косинова М.Л.
1
1 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
2 Санкт-Петербургский государственный университет, Россия
Разработана низкотемпературная методика
плазмохимического осаждения из газовой фазы наностенок гексагонального нитрида
бора, представляющих собой массив листов, вертикально ориентированных
относительно подложки Si(100). Впервые для формирования наностенок h-BN
использована газовая смесь триэтиламинборана и аммиака. Размеры наностенок
составляют 50—250 нм длиной и 10—25 нм толщиной. Методами
рентгеновской дифракции в геометрии скользящего падения луча и просвечивающей
электронной микроскопии высокого разрешения проведено исследование структуры
борнитридных наностенок. Изучено влияние параметров синтеза — температуры осаждения
и времени роста пленки — на химический и фазовый состав, морфологию поверхности,
структуру пленок и их оптические свойства.
Ключевые слова: гексагональный нитрид бора, наностенки, PECVD, триэтиламинборан