Особенности формирования эмиссионных пленочных структур MgO—RuO2 методом MOCVD
- Статья поступила: 22.03.2019 г.
- С доработки: 28.03.2019 г.
- Принята к публикации: 08.04.2019 г.
- DOI 10.26902/JSC_id44210
- Просмотров: 626
1 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
2 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
Методом химического осаждения из газовой фазы (MOCVD) на планарных кремниевых подложках получены тонкие пленочные структуры на основе оксида магния и оксида рутения из летучих комплексов бис-(дипивалоилметанато)(N,N,N',N'-тетраметилэтилендиамин)магний(II) и трис-(ацетилацетонато)рутений(III) в
присутствии кислорода. Образцы исследованы с помощью СЭМ, ЭДС, РФА и
метода дифференцирующего растворения, измерены их эмиссионные характеристики.
Показаны особенности фазообразования и микроструктуры в формирующихся пленках,
выявлены различные формы оксидов магния и рутения, в том числе нестехиометричные. Найдены параметры MOCVD экспериментов, при которых
формируются композиционные структуры с высокими коэффициентами
электрон-индуцированной вторичной электронной эмиссии (до 7.2). Такие
материалы могут быть использованы как эффективные эмиссионные покрытия в современных
3D электронных умножителях.
Ключевые слова: химическое осаждение из газовой фазы, оксид магния, оксид рутения, пленочные наноструктуры, коэффициент вторичной электронной эмиссии
|
Импакт-фактор 0.8 |
||||
|
Срок опубликования 4 мес |
||||
Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2020 года ("Номера").
Спецвыпуски
Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители
Рубрики