Особенности формирования эмиссионных пленочных структур MgO—RuO2 методом MOCVD

  • DOI 10.26902/JSC_id44210
  • Просмотров: 41
© Викулова Е.С. 1, Почтарь А.А.2, Морозова Н.Б.1, Васильева И.Г.1
1 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
2 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
Методом химического осаждения из газовой фазы (MOCVD) на планарных кремниевых подложках получены тонкие пленочные структуры на основе оксида магния и оксида рутения из летучих комплексов бис-(дипивалоилметанато)(N,N,N',N'-тетраметилэтилен­диамин)магний(II) и трис-(ацетилацетонато)рутений(III) в присутствии кислорода. Образцы исследованы с помощью СЭМ, ЭДС, РФА и метода дифференцирующего растворения, измерены их эмиссионные характеристики. Показаны особенности фазообразования и микроструктуры в формирующихся пленках, выявлены различные формы оксидов магния и рутения, в том числе нестехиометричные. Найдены параметры MOCVD экспериментов, при которых формируются композиционные структуры с высокими коэффициентами электрон-индуцированной вторичной электронной эмиссии (до 7.2). Такие материалы могут быть использованы как эффективные эмиссионные покрытия в современных 3D электронных умножителях. 
Ключевые слова: химическое осаждение из газовой фазы, оксид магния, оксид рутения, пленочные наноструктуры, коэффициент вторичной электронной эмиссии

Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители

Рубрики