Структура пленок HfO2 и двойных оксидов на его основе
- Статья поступила: 25.10.2011 г.
- УДК 544.171.44
- Просмотров: 102
1 Учреждение Академии Наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
2 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
Проведен анализ химического состава и структуры пленок HfO2 и двойных оксидов, формирующихся при их легировании алюминием и скандием. Показано, что легирование HfO2 алюминием приводит к аморфизации пленок: при концентрации Al больше 30 ат.% пленка становится аморфной. Легирование HfO2 скандием модифицирует моноклинную структуру и в области концентраций Sc от ~9 до ~14 ат.% Sc в неравновесных условиях CVD процесса при 600 °C формируется пленка твердого раствора орторомбической структуры.
Ключевые слова: диоксид гафния, бинарные растворы, «high-k»-диэлектрики
|
Импакт-фактор 2023 1.2 |
||||
|
Срок опубликования 4 мес |
||||
Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2020 года ("Номера").
Спецвыпуски
Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители
Рубрики