- Статья поступила: 22.07.2011 г.
- С доработки: 21.12.2011 г.
- УДК 547.245:541.64
- Просмотров: 90
©
Файнер Н.И.
, Косяков В.И., Румянцев Ю.М. , Максимовский Е.А.
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
Рассматриваются особенности кристаллизации тонких слоев карбонитрида кремния, полученных химическим осаждением из газовой фазы с использованием кремнийорганических веществ-предшественников на подложках из арсенида галлия при 973 K в присутствии капель жидкого галлия. Слои, выращенные по механизму пар—жидкость—твердое (ПЖТ), исследовали методами ИК, КР и энергодисперсионной спектроскопии, растровой электронной микроскопии (РЭМ), рентгенодифракционным анализом с использованием синхротронного излучения (РФА—СИ) с целью получения данных об их химическом и фазовом составе, кристаллической структуре и морфологии поверхности. Высказано предположение о связи их морфологии с механизмом образования зародышей в капле галлия, находящейся на поверхности подложки арсенида галлия.
Ключевые слова: карбонитрид кремния, структура, механизм пар – жидкость – твердое, тонкие пленки, нанокристаллы, подложки арсенида галлия