Оптический контроль электронных состояний
в трехмерных топологических изоляторах
- Статья поступила: 27.08.2019 г.
- С доработки: 16.09.2019 г.
- Принята к публикации: 16.09.2019 г.
- DOI 10.26902/JSC_id54064
- Просмотров: 374
1 Новосибирский государственный технический университет, Россия
2 Department of Physics and Astronomy, University of Exeter, Exeter, UK
3 Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4 Science Institute, University of Iceland, Reykjavik, Iceland
Разработана теория, описывающая управление
поверхностными электронными состояниями в трехмерных бесщелевых полупроводниках
типа теллурида ртути (HgTe) посредством циркулярно поляризованного
электромагнитного поля. Показано, что такое поле приводит к появлению
электронных состояний, локализованных вблизи поверхности и возникающих
благодаря перемешиванию зоны проводимости и валентной зоны бесщелевого
полупроводника. При этом ветви этих оптически индуцированных поверхностных
состояний имеют линейную (дираковскую) дисперсию, характерную для топологических
состояний. Помимо поверхностных ветвей, данное поле индуцирует щель между зоной
проводимости и валентной зоной бесщелевого полупроводника. Как результат,
циркулярно поляризованное поле может превратить бесщелевой полупроводник в
топологический изолятор.
Ключевые слова: топологические изоляторы, поверхностные состояния, оптический контроль
|
Импакт-фактор 2024 1.4 |
||||
|
Срок опубликования 4 мес |
||||
|
XII Национальная кристаллохимическая конференция Апатиты, 4–12 июля 2026 г. |
|
Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2021 года ("Номера").
Спецвыпуски
Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители
Рубрики