Структура и свойства пленок на основе двойных оксидов HfO2—Sc2O3 в водном растворе мочевины
- Статья поступила: 29.11.2010 г.
- УДК 621.382
- Просмотров: 253
1 Учреждение Академии Наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
2 Отделение информатики и технологии электронных материалов, Пай Чай университет, Дайджеон, 302-735, Корея
В работе приводятся результаты исследования химического строения и структуры тонких пленок (HfO2)x(Sc2O3)1–x. Пленки были получены методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) из комплексных соединений 2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандионат гафния (Hf(thd)4) и 2,2,6,6-тетраметил-3, 5-гептандионат скандия (Sc(thd)3). Методами рентгенофазового анализа (РФА) и инфракрасной (ИК) спектроскопии показано, что в зависимости от содержания скандия в пленках структура их меняется от моноклинной к кубической. Из вольт-емкостных зависимостей тестовых структур Al/(HfO2)x(Sc2O3)1–x/Si была определена диэлектрическая проницаемость пленок. Для пленок кубической структуры k = 21, для пленок моноклинной структуры k = 9.
Ключевые слова: тонкие пленки, двойные оксиды, осаждение из газовой фазы
|
Импакт-фактор 2023 1.2 |
||||
|
Срок опубликования 4 мес |
||||
Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2020 года ("Номера").
Спецвыпуски
Самое интересное
Статьи, к которым чаще всего обращаются посетители
Рубрики