Л.К. Орлов, В.И. Вдовин, Н.Л. Ивина, Штейнман Э.А., М.Л. Орлов, Ю.Н. Дроздов, В.Ф. Петрова
Структура и электронные свойства гетероперехода 3C-SiC/SiGeC/Si(100), формируемого методами вакуумной химической эпитаксии
Ключевые слова:
кремний, карбиды кремния, германий, гетероструктуры, химическая вакуумная эпитаксия, кристаллографическая структура пленок, морфология поверхности, структура гетероперехода, инфракрасная фотолюминесценция, вольт-амперные характеристики