Характеризация интерфейсных слоев твердого раствора, формируемого при росте на кремнии из водородсодержащих соединений карбидного слоя

ЖСХ, т.62, №4, 2021, стр.672

Статья поступила: 05.11.2020 г.
С доработки: 19.11.2020 г.
Принята к публикации: 20.11.2020 г.
DOI 10.26902/JSC_id71171
Просмотров: 548

¹ Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия

² Нижегородский государственный технический университет, Нижний Новгород, Россия

³ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

⁴ Нижегородский институт управления – филиал РАХН и ГС при Президенте РФ, кафедра информатики и информационных технологий, Нижний Новгород, Россия

⁵ Компьютерная фирма, ООО МЕРА, Нижний Новгород, Россия

⁶ Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия

Обсуждаются механизмы образования, кристаллическая структура, особенности дефектообразования и состав формируемой при пониженных (менее 900 °С) ростовых температурах на поверхности Si из углеводорода и гидридов сплошной карбидной пленки. Показано, что при выращивании в течение длительного времени толстых карбидных слоев под карбидным слоем образуется система макродефектов и подстилающая поверхность, подобная пористому кремнию. Присутствие переходного слоя твердого раствора между карбидным слоем и подложкой из кремния проявляется в положении линий люминесцентных спектров исследуемых структур в области ближнего ИК диапазона. Для установления наиболее вероятных механизмов наблюдаемых излучательных переходов проведен анализ температурного поведения спектральных линий и расчет характера распределения по слоям структуры возбуждаемых светом неравновесных носителей заряда.

Ключевые слова: кубическая фаза карбида кремния, твердый раствор, гетероэпитаксия, морфологические дефекты, структура гетерограницы, фотолюминесценция, светоизлучающие механизмы

Импакт-фактор 2023 1.2
Срок опубликования 4 мес

Уважаемые авторы и подписчики “Журнала структурной химии”,
в свободном доступе
архив ЖСХ до 2020 года ("Номера").

Разместить рекламу в ЖСХ

Обзоры

Подать статью